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在半導體制造中，晶圓表面缺陷與焊點質(zhì)量檢測是保障芯片良率與可靠性的核心環(huán)節(jié)。前者聚焦于納米級表面完整性，后者則關(guān)乎封裝結(jié)構(gòu)的電學與機械穩(wěn)定性。兩者通過光學、聲學及人工智能技術(shù)的深度融合，構(gòu)建起從晶圓制造到封裝測試的全流程質(zhì)量防線。一、晶圓表...
光學膜厚儀是一種用于測量薄膜厚度的儀器。它主要基于光學干涉的原理，可以在不破壞被測物表面的情況下進行非接觸式測量。由于其高精度、快速、穩(wěn)定等特點，廣泛應用于電子、光電、化學、材料科學等領域中。光學膜厚儀的最大特點就是其測量精度非常高，一般可達nanometer級別。同時，該儀器還具有快速測量、非接觸式測量和測量范圍廣等優(yōu)勢。對于快速測量來說，它通常只需要幾秒鐘甚至更短時間就可以完成一次測量，而且可以實現(xiàn)自動化測量，極大地提高了工作效率。對于非接觸式測量來說，這種測量方式避免了...
1.2金屬鍵合對于高亮度垂直LED（high-brightnessverticalLED，HB-VLED）來說，鍵合界面必須具有高熱導和高電導的性能，幸運的是大部分金屬材料導熱性能好的同時導電性能也較好，使金屬鍵合技術(shù)成為目前LED產(chǎn)業(yè)中最常使用的鍵合技術(shù)，即以金屬膜為中間層實現(xiàn)晶圓對的連接。金屬鍵合技術(shù)提供了高熱導、低電阻、電流分布均勻及光吸收少的鍵合界面，無論是對于AlInGaP紅光LED還是對于InGaN藍光LED，采用金屬鍵合技術(shù)都能有效提高其熱學、電學和光學性能，因...
0引言發(fā)光二極管（light-emittingdiode，LED）照明是利用半導體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世，到20世紀90年代，人們對LED的研究進展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導體材料為光源的LED僅應用在光電探測及顯示領域。直到20世紀90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED，照明領域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導體材料Si，Ge和第二代半導體材料GaAs，InP等之后的第...
01引言數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡、傳感器和用于人工智能高級計算中的新興應用，對于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級增長。我們比以往任何時候都更加依賴這些應用來確保這個世界更安全、更高效。在所有這些市場中，硅光子學(SiPh)在實現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。因此，開發(fā)能夠經(jīng)濟高效地擴大硅光子產(chǎn)品生產(chǎn)的解決方案比以往任何時候都更加重要。雖然通過使用標準半導體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和現(xiàn)有基礎設施，SiPh的晶圓制造能力已經(jīng)成熟，但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關(guān)鍵瓶...
相較上一代平臺，全新自動掩模對準系統(tǒng)（IQAlignerNT）產(chǎn)出率和對準精度提升兩倍，為EVG光刻解決方案帶來了全新應用微機電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術(shù)以及半導體市場晶圓鍵合和光刻設備LINGXIAN供應商EVG集團（EVG）近日宣布推出IQAlignerNT，旨在針對大容量XIANJIN封裝應用推出的全新自動掩模對準系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機配備了高強度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點對準的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。...