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主動隔震臺從低頻振動抑制到六自由度精密控制
2025-06-12

主動隔震臺作為高精度實(shí)驗設(shè)備的“穩(wěn)定基石”,通過主動反饋控制技術(shù),可實(shí)時抵消環(huán)境振動對精密儀器的影響,廣泛應(yīng)用于激光共聚焦顯微鏡、掃描電鏡及原子力顯微鏡等領(lǐng)域。其核心功能涵蓋低頻振動抑制、六自由度主動控制、環(huán)境適應(yīng)性設(shè)計及智能監(jiān)測四大維度,...

  • 2022-12-30

    晶圓鍵合自動系統(tǒng)匯集多項技術(shù)突破,令半導(dǎo)體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。新系統(tǒng)晶圓對晶圓排列精度是過去標(biāo)準(zhǔn)平臺的三倍,生產(chǎn)能力更是比先前高出50%,此外GEMINIFBXT平臺還為半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙,使半導(dǎo)體行業(yè)能夠在未來不斷提升設(shè)備密度,強(qiáng)化設(shè)備機(jī)能,同時又無需求助于越發(fā)昂貴復(fù)雜的光刻工藝技術(shù)。晶圓對晶圓鍵合自動系統(tǒng)是激活諸如堆疊式內(nèi)存,邏輯記憶以及未來互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感應(yīng)器等3D裝置的一個關(guān)鍵步驟。...

  • 2022-12-26

    EV集團(tuán)(EVG)是面向MEMS,納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場的晶圓鍵合機(jī)和納米壓印機(jī)的先進(jìn)供應(yīng)商,今天宣布,它已與先進(jìn)的技術(shù)集團(tuán)之一的肖特(SCHOTT)合作在特種玻璃和玻璃陶瓷領(lǐng)域,證明了12英寸納米壓印光刻技術(shù)(NIL)已準(zhǔn)備好用于制造波導(dǎo)/光的高折射率(HRI)玻璃晶片的大量圖案下一代增強(qiáng)/混合現(xiàn)實(shí)(AR/MR)耳機(jī)指南。此次合作涉及EVG公司專有的SmartNIL納米壓印工藝和SCHOTT的RealView高折射率玻璃晶片,并且將EVG的NILPhotonics內(nèi)開展在公司...

  • 2022-12-24

    在過去的幾十年中,生物技術(shù)設(shè)備的小型化極大地改善了臨床診斷,藥物研究和分析化學(xué)。現(xiàn)代生物技術(shù)設(shè)備,例如用于診斷,細(xì)胞分析和藥物發(fā)現(xiàn)的生物醫(yī)學(xué)MEMS,通常是基于芯片的,并且依賴于微米級和納米級生物物質(zhì)的緊密相互作用。根據(jù)市場研究報告,越來越多的醫(yī)療保健應(yīng)用正在使用bioMEMS組件。受諸如即時點(diǎn)測試,臨床和獸醫(yī)診斷等應(yīng)用的推動,到2021年,已占生物MEMS市場總量的86%。NIL納米壓印光刻技術(shù)已從利基技術(shù)演變?yōu)閺?qiáng)大的大批量制造方法,該方法可通過將印跡或生物印跡到生物相容性...

  • 2022-12-22

    掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng),這是一個全新的、已經(jīng)被生產(chǎn)廠家驗證過的新型光刻曝光機(jī)以及晶圓對晶圓(W2W)接合曝光和測試系統(tǒng),可滿足用戶對更高光刻精度的需求。業(yè)內(nèi)向更小結(jié)構(gòu)和更密集封裝生產(chǎn)轉(zhuǎn)型的趨勢帶來了眾多的新挑戰(zhàn),如對更高精度的要求,因為這將嚴(yán)重影響設(shè)備的偏差律,并最終影響生產(chǎn)效率和增加成本。掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng)可較大提高對準(zhǔn)精度-范圍從1微米至0.1微米-從而為生產(chǎn)廠家在先進(jìn)微電子、化和物半導(dǎo)體、硅基電功率、三維集成電路和納米等幾乎所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供了解決方案。新一代掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)系...

  • 2022-12-19

    發(fā)光二極管照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世,到20世紀(jì)90年代,人們對LED的研究進(jìn)展緩慢,期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期,日本的中村修二發(fā)明了第一只超高亮度的GaN基LED,照明領(lǐng)域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si,Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs,InP等之后的第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的光電性能獲得了關(guān)注和研究熱度。GaN是...

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